2N3501L/TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-5-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

150 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

150 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.4 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

300 mA

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 150 mA, 10 V

Verpackung:

Spule

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20 at 300 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

100

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N3501, 2N350, 2N35, 2N3