STU90N4F3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

110 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StripFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.2 mm

Länge:

6.6 mm

Serie:

STU90N4F3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

60 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STU9, STU