STI55NF03L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

55 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

27 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 60 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

80 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

StripFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.6 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STI55NF03L

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.35 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

400 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Gewichtseinheit:

0.073511 oz

Tags

STI55, STI5, STI