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IXFK30N100Q2

IXFK30N100Q2
Mfr. #:
IXFK30N100Q2
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFK30N100Q2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
IXFK30N100
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.352740 oz
Montageart
Durchgangsloch
Handelsname
HyperFET
Paket-Koffer
TO-264-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
735 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
10 ns
Anstiegszeit
14 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
30 V
ID-Dauer-Drain-Strom
30 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
400 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
60 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
22 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXFK30N, IXFK30, IXFK3, IXFK, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
***ark
Mosfet, N, To-264; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:1Kv; Continuous Drain Current Id:30A; On Resistance Rds(On):0.4Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, N, TO-264; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:1kV; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:735W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-264; No. of Pins:3; Avalanche Single Pulse Energy Eas:4J; Current Id Max:30A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; N-channel Gate Charge:186nC; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:400mohm; Package / Case:TO-264; Power Dissipation Pd:735W; Power Dissipation Pd:735W; Pulse Current Idm:120A; Rate of Voltage Change dv / dt:20V/ns; Repetitive Avalanche Energy Max:60mJ; Reverse Recovery Time trr Typ:250ns; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:1kV; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Weight:0.00001kg
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFK30N100Q2
DISTI # IXFK30N100Q2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 25:$31.7340
IXFK30N100Q2
DISTI # 747-IXFK30N100Q2		IXYS CorporationMOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds
RoHS: Compliant		0
    Bild Teil # Beschreibung
    IXFK300N20X3

    Mfr.#: IXFK300N20X3

    OMO.#: OMO-IXFK300N20X3

    		 MOSFET N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
    IXFK30N100Q2

    Mfr.#: IXFK30N100Q2

    OMO.#: OMO-IXFK30N100Q2

    		 MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds
    IXFK300N20X3

    Mfr.#: IXFK300N20X3

    OMO.#: OMO-IXFK300N20X3-IXYS-CORPORATION

    		 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
    IXFK30N110P

    Mfr.#: IXFK30N110P

    OMO.#: OMO-IXFK30N110P-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
    IXFK30N100Q2

    Mfr.#: IXFK30N100Q2

    OMO.#: OMO-IXFK30N100Q2-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
    IXFK30N50Q

    Mfr.#: IXFK30N50Q

    OMO.#: OMO-IXFK30N50Q-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
    Verfügbarkeit
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    Available
    Auf Bestellung:
    2500
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    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    47,60 $
    47,60 $
    10
    45,22 $
    452,21 $
    100
    42,84 $
    4 284,09 $
    500
    40,46 $
    20 230,45 $
    1000
    38,08 $
    38 080,80 $
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