BUL213

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

600 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

1300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

9 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BUL213

DC-Stromverstärkung hFE Max:

36

Höhe:

9.15 mm (Max)

Länge:

10.4 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.6 mm (Max)

Marke:

STMicroelectronics

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

16

Pd - Verlustleistung:

60 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

BUL21, BUL2, BUL