IRF7350PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.1 A

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC, 21 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.4 S, 1.1 S

Abfallzeit:

20 ns, 40 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns, 13 ns

Werkspackungsmenge:

4085

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns, 30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.7 ns, 25 ns

Teil # Aliase:

SP001554224

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

IRF7350, IRF735, IRF73, IRF7, IRF