FDS8878-F123

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14 mOhms

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

FDS8878_F123

Gewichtseinheit:

0.006596 oz

Tags

FDS8878, FDS887, FDS88, FDS8, FDS