FDS8878_F123

FDS8878_F123
Mfr. #:
FDS8878_F123
Hersteller:
FAIRCHILD
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 30V N-CHAN 10.2A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FDS8878_F123 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
FAIRCHILD
Produktkategorie
IC-Chips
Verpackung
Spule
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
2.5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
ID-Dauer-Drain-Strom
10.2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
14 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
FDS8878, FDS887, FDS88, FDS8, FDS
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FDS8878-F123
DISTI # 512-FDS8878_F123
ON SemiconductorMOSFET 30V N-CHAN 10.2A
RoHS: Compliant
0
  • 1:$0.9200
  • 10:$0.7840
  • 100:$0.6030
  • 500:$0.5330
  • 1000:$0.4200
  • 2500:$0.3730
  • 10000:$0.3590
Bild Teil # Beschreibung
FDS8878

Mfr.#: FDS8878

OMO.#: OMO-FDS8878

MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
FDS8878-F123

Mfr.#: FDS8878-F123

OMO.#: OMO-FDS8878-F123

MOSFET 30V N-CHAN 10.2A
FDS8878_F123

Mfr.#: FDS8878_F123

OMO.#: OMO-FDS8878-F123-126

IGBT Transistors MOSFET 30V N-CHAN 10.2A
FDS8870-NBSC001

Mfr.#: FDS8870-NBSC001

OMO.#: OMO-FDS8870-NBSC001-1190

Neu und Original
FDS8870-NL.

Mfr.#: FDS8870-NL.

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Neu und Original
FDS8870N3

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OMO.#: OMO-FDS8870N3-1190

Neu und Original
FDS8870NC

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OMO.#: OMO-FDS8870NC-1190

Neu und Original
FDS8876-NL

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OMO.#: OMO-FDS8876-NL-1190

Neu und Original
FDS8878

Mfr.#: FDS8878

OMO.#: OMO-FDS8878-ON-SEMICONDUCTOR

MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
FDS8870_G

Mfr.#: FDS8870_G

OMO.#: OMO-FDS8870-G-ON-SEMICONDUCTOR

INTEGRATED CIRCUIT
Verfügbarkeit
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Available
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