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TK10A60W5,S5VX

TK10A60W5,S5VX
Mfr. #:
TK10A60W5,S5VX
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET Power MOSFET N-Channel
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK10A60W5,S5VX Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK10A60W5,S5VX DatasheetTK10A60W5,S5VX Datasheet (P4-P6)TK10A60W5,S5VX Datasheet (P7-P9)TK10A60W5,S5VX Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK10A60W5,S5VX Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220FP-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
9.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
350 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
25 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
30 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSIV
Verpackung:
Rohr
Höhe:
15 mm
Länge:
10 mm
Serie:
TK10A60W
Breite:
4.5 mm
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
5.5 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
40 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
75 ns
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
TK10A60W5, TK10A60W, TK10A60, TK10A6, TK10A, TK10, TK1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
    E**t
    E**t
    RU

    Thanks for a good product.

    2019-03-25
    E**b
    E**b
    TR

    After 2 months the product was not shipped and my money returned if you will not send why you wait 2 months

    2019-05-04
***ical
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Bild Teil # Beschreibung
TS391SN2T1G

Mfr.#: TS391SN2T1G

OMO.#: OMO-TS391SN2T1G

 Analog Comparators 2-36V SGL COMPARATOR
MCP79410-I/SN

Mfr.#: MCP79410-I/SN

OMO.#: OMO-MCP79410-I-SN

 Real Time Clock I2C GP RTCC 1Kb EE 64B SRAM ID
FAN7380MX

Mfr.#: FAN7380MX

OMO.#: OMO-FAN7380MX

 Gate Drivers Half Bridge Gate Dvr
DF06S2

Mfr.#: DF06S2

OMO.#: OMO-DF06S2

 Bridge Rectifiers 600V, 2A BRIDGE, SDIP
ES1J

Mfr.#: ES1J

OMO.#: OMO-ES1J

 Rectifiers 1.0 A Ultra Fast Recovery Rect
LTV-357T

Mfr.#: LTV-357T

OMO.#: OMO-LTV-357T

 Transistor Output Optocouplers Optocoupler Phototrans
FSCQ0765RTYDTU

Mfr.#: FSCQ0765RTYDTU

OMO.#: OMO-FSCQ0765RTYDTU

 AC/DC Converters 7A/650V QRC Power Switch
TL494BDR2G

Mfr.#: TL494BDR2G

OMO.#: OMO-TL494BDR2G

 Switching Controllers 40kHz 200mA PWM w/48% Duty Cycle Max
E19-00H0

Mfr.#: E19-00H0

OMO.#: OMO-E19-00H0

 Basic / Snap Action Switches DPDT 15A QC TERM
NTCALUG01A104F

Mfr.#: NTCALUG01A104F

OMO.#: OMO-NTCALUG01A104F

 NTC Thermistors 100K 1% 4190K 38MM AWG24
Verfügbarkeit
Aktie:
98
Auf Bestellung:
2081
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Referenzpreis (USD)
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Stückpreis
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1
2,05 $
2,05 $
10
1,65 $
16,50 $
100
1,32 $
132,00 $
500
1,16 $
580,00 $
1000
0,96 $
957,00 $
2500
0,89 $
2 230,00 $
5000
0,86 $
4 295,00 $
10000
0,82 $
8 250,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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