IRF5803D2PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

190 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

25 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

FETKY-MOSFET und Schottky-Diode

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

550 ns

Werkspackungsmenge:

95

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

88 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

43 ns

Teil # Aliase:

SP001554058

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

IRF5803D2, IRF5803D, IRF5803, IRF580, IRF58, IRF5, IRF