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TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4
Mfr. #:
TC58NYG1S3HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TC58NYG1S3HBAI4 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TFBGA-63
Speichergröße:
2 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
256 M x 8
Timing-Typ:
Synchron
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Produkt:
Nand Flash
Geschwindigkeit:
25 ns
Die Architektur:
Block löschen
Marke:
Toshiba-Speicher
Maximale Taktfrequenz:
-
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
210
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TC58NYG1S3HBAI4, TC58NYG1S3H, TC58NYG1S3, TC58NYG1, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ronik
NAND-Flash 256Mx8 1.8V BGA63
***i-Key
2GB NAND SLC 24NM BGA (EEPROM)
***et
2Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TC58NYG1S3HBAI4
DISTI # TC58NYG1S3HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products2G NAND SLC 24NM BGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 210:$3.8950
TC58NYG1S3HBAI4
DISTI # TC58NYG1S3HBAI4		Toshiba America Electronic Components2Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG1S3HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Americas - 0
  • 210:$2.8900
  • 420:$2.8900
  • 840:$2.7900
  • 1260:$2.7900
  • 2100:$2.6900
TC58NYG1S3HBAI4
DISTI # 757-TC58NYG1S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		228
  • 1:$5.3200
  • 10:$4.2800
  • 100:$3.9000
  • 250:$3.5200
  • 500:$3.1600
  • 1000:$2.6600
  • 2500:$2.5300
Bild Teil # Beschreibung
TC58NYG1S3EBAI5

Mfr.#: TC58NYG1S3EBAI5

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3EBAI5

 NAND Flash 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG1S8EBAI4

Mfr.#: TC58NYG1S8EBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG1S8EBAI4-1190

 Neu und Original
TC58NYG1S8HBAI6/2GBIT

Mfr.#: TC58NYG1S8HBAI6/2GBIT

OMO.#: OMO-TC58NYG1S8HBAI6-2GBIT-1190

 Neu und Original
TC58NYG2S0FBAI4

Mfr.#: TC58NYG2S0FBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0FBAI4-1190

 Neu und Original
TC58NYG2S3ETAIO

Mfr.#: TC58NYG2S3ETAIO

OMO.#: OMO-TC58NYG2S3ETAIO-1190

 Neu und Original
TC58NYG2S0HBAI6

Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 1.8V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG1S3EBAI5

Mfr.#: TC58NYG1S3EBAI5

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3EBAI5-1151

 Flash Memory 2Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM
TC58NYG0S3EBAI4JRH

Mfr.#: TC58NYG0S3EBAI4JRH

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3EBAI4JRH-1190

 Neu und Original
TC58NYG1S3HBAI4-ND

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI4-ND

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI4-ND-1190

 Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
228
Auf Bestellung:
2211
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
3,52 $
3,52 $
10
3,19 $
31,90 $
25
3,12 $
78,00 $
50
3,11 $
155,50 $
100
2,79 $
279,00 $
250
2,78 $
695,00 $
500
2,67 $
1 335,00 $
1000
2,54 $
2 540,00 $
2500
2,42 $
6 050,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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