STY100NS20FD

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

Max247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

24 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

450 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.3 mm

Länge:

15.9 mm

Serie:

STY100NS20FD

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

5.3 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

140 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

140 ns

Werkspackungsmenge:

600

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Einschaltverzögerungszeit:

42 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

STY100N, STY100, STY10, STY1, STY