FDFMA3P029Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MicroFET-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

87 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.9 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

7.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.4 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

2 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

2 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6 S

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.2 ns

Gewichtseinheit:

0.002116 oz

Tags

FDFMA3, FDFMA, FDFM, FDF