IPB011N04L G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-7

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

180 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

800 uOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

346 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

250 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

OptiMOS 3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

180 S

Abfallzeit:

21 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

106 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Teil # Aliase:

IPB011N04LGATMA1 IPB11N4LGXT SP000391498

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IPB011N04LG, IPB011N04L, IPB011, IPB01, IPB0, IPB