TSM80N08CZ C0

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

75 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

91.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

113.6 W, 2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

66 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

73 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21.5 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

TSM80N, TSM80, TSM8, TSM