ZXMN3AM832TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

T

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MLP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

180 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

2.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.7 ns

Gewichtseinheit:

0.010582 oz

Tags

ZXMN3AM8, ZXMN3AM, ZXMN3A, ZXMN3, ZXMN, ZXM