CSD25301W1015

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DSBGA-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

75 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1500 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.625 mm

Länge:

1.5 mm

Serie:

CSD25301W1015

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1 mm

Marke:

Texas Instruments

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

29 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4 ns

Gewichtseinheit:

0.000060 oz

Tags

CSD2530, CSD253, CSD25, CSD2, CSD