CDM22012-800LRFP SL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

370 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

52.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

40 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

UltraMOS

Verpackung:

Rohr

Produkt:

Leistungs-MOSFETs

Serie:

CDM

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

LR Leistungs-MOSFET

Marke:

Zentraler Halbleiter

Abfallzeit:

42.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

44.8 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

171.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21.1 ns

Tags

CDM2201, CDM220, CDM22, CDM2, CDM