IPP08CNE8N G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

85 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

95 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.4 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

167 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

24 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Teil # Aliase:

IPP08CNE8NGXK

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

IPP08CNE, IPP08C, IPP08, IPP0, IPP