IPP048N04N G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

70 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

41 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

79 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Serie:

OptiMOS 3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

28 S

Abfallzeit:

4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.2 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Teil # Aliase:

IPP048N04NGXKSA1 IPP48N4NGXK SP000648308

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

IPP048N04, IPP048N0, IPP048, IPP04, IPP0, IPP