BCX5110TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

45 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

45 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BCX5110

DC-Stromverstärkung hFE Max:

63 at 150 mA, 2 V

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.5 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

63 at 150 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.001834 oz

Tags

BCX511, BCX51, BCX5, BCX