FCU2250N80Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.25 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V, 30 V

Qg - Gate-Ladung:

11 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

39 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperFET II

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.3 mm

Länge:

6.8 mm

Serie:

FCU2250N80Z

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.28 S

Abfallzeit:

8.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.7 ns

Werkspackungsmenge:

1800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.012102 oz

Tags

FCU2, FCU