SQS401ENW-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-1212-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

21.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

62.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.04 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S

Abfallzeit:

10.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Tags

SQS401, SQS40, SQS4, SQS