CSD86311W1723

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DSBGA-12

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

42 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

3.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Dual

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.62 mm

Länge:

2.32 mm

Serie:

CSD86311W1723

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.74 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.4 S

Abfallzeit:

2.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.4 ns

Gewichtseinheit:

0.000145 oz

Tags

CSD86, CSD8, CSD