FS50

FS50R12W2T4 vs FS50R12U1T4BPSA1 vs FS50R12W2T4B11BOMA1

 
PartNumberFS50R12W2T4FS50R12U1T4BPSA1FS50R12W2T4B11BOMA1
DescriptionIGBT Modules IGBT 1200V 50AMOD IGBT LOW PWR SMART1-1MOD IGBT LOW PWR EASY2B-2
ManufacturerInfineon--
Product CategoryIGBT Modules--
RoHSY--
ProductIGBT Silicon Modules--
ConfigurationIGBT-Inverter--
Collector Emitter Voltage VCEO Max1200 V--
Collector Emitter Saturation Voltage1.85 V--
Continuous Collector Current at 25 C83 A--
Gate Emitter Leakage Current100 nA--
Pd Power Dissipation335 W--
Package / CaseModule--
Minimum Operating Temperature- 40 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
PackagingTray--
BrandInfineon Technologies--
Mounting StyleSMD/SMT--
Maximum Gate Emitter Voltage20 V--
Product TypeIGBT Modules--
Factory Pack Quantity15--
SubcategoryIGBTs--
Part # AliasesFS50R12W2T4BOMA1 SP000404114--
Unit Weight1.375685 oz--
Hersteller Teil # Beschreibung RFQ
Infineon Technologies
Infineon Technologies
FS50R12W2T4_B11 IGBT Modules IGBT 1200V 50A
FS50R17KE3_B17 IGBT Modules IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
FS50R12W2T4 IGBT Modules IGBT 1200V 50A
FS50R12W2T4BOMA1 MOD IGBT LOW PWR EASY2B-1
FS50R17KE3B17BOSA1 MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
FS50R12U1T4BPSA1 MOD IGBT LOW PWR SMART1-1
FS50R12W2T4B11BOMA1 MOD IGBT LOW PWR EASY2B-2
FS50R12W2T4-B11 Neu und Original
FS50R17K3-B17 Neu und Original
FS50SM-03 Neu und Original
FS50SM-06 Neu und Original
FS50SM-10 Neu und Original
FS50SM-15A Neu und Original
FS50SM-2 Neu und Original
FS50SM-3 Neu und Original
FS50SM-3/2 Neu und Original
FS50SM-5 Neu und Original
FS50SM-5A Neu und Original
FS50SM2 Neu und Original
FS50SM5A Neu und Original
FS50SMH-06 Neu und Original
FS50SMJ Neu und Original
FS50SMJ-06 Neu und Original
FS50SMJ-2 Neu und Original
FS50SMJ-3 Neu und Original
FS50UM Neu und Original
FS50UM-03 Neu und Original
FS50UM-06 Neu und Original
FS50UM-2 Neu und Original
FS50UM-3 - Bulk (Alt: FS50UM-3)
FS50UM06A Neu und Original
FS50UM2 Neu und Original
FS50UMJ-03 Neu und Original
FS50UMJ-06 Neu und Original
FS50UMJ-2 Neu und Original
FS50UMJ-3 Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
FS50UMJ-3-KN Neu und Original
FS50VS Neu und Original
FS50VS-03 Neu und Original
FS50VS-2 Neu und Original
FS50VS-3 Neu und Original
FS50VS-3-T11 Neu und Original
FS50VSJ Neu und Original
FS50VSJ-03 Neu und Original
FS50VSJ-06 Neu und Original
FS50VSJ-06F Neu und Original
FS50VSJ-2 Neu und Original
FS50R12W2T4_B11 IGBT Modules IGBT 1200V 50A
FS50R12W2T4 IGBT Modules IGBT 1200V 50A
FS50R17KE3_B17 IGBT Modules IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
Top