SEMIX3

SEMIX302GAR12E4S vs SEMIX302GB126HDS vs SEMIX302GB126HS

 
PartNumberSEMIX302GAR12E4SSEMIX302GB126HDSSEMIX302GB126HS
Description
Hersteller Teil # Beschreibung RFQ
SEMIX302GAR12E4S Neu und Original
SEMIX302GB126HDS Neu und Original
SEMIX302GB126HS Neu und Original
SEMIX302GB128D IGBT 4 (Trench)
SEMIX302GB128DS Neu und Original
SEMIX302GB12E4S Neu und Original
SEMIX302GB12T4S Neu und Original
SEMIX302KD16S SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A
SEMIX302KH16S SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A
SEMIX302KT16S SEMIX, Trench Rectifier Thyristor Module, 1600V, 300A
SEMIX303GB12E4 Neu und Original
SEMIX303GB12E4S IGBT MODULE, DUAL, 1.2KV, 466A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:466A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)
SEMIX303GB12V Neu und Original
SEMIX303GB12VS Neu und Original
SEMIX303GD12E4C Neu und Original
SEMIX303GD12T4C Neu und Original
SEMIX303GD12VC Neu und Original
SEMIX341D16S RECTIFIER MODULE, 1.6KV, 340A, SEMIX 13S, No. of Phases:Three Phase, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.6kV, Forward Current If(AV):340A, Bridge Rectifier Case Style:Module, Forward Voltage VF
SEMIX352GAL128DS Neu und Original
SEMIX352GAR128DS Neu und Original
SEMIX352GB128D Neu und Original
SEMIX352GB128DS IGBT POWER MODULE, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:377A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.35V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.15V,
SEMIX353GB126HDS IGBT, 1200 V, 250 A @ 25 DegC, 260 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degC
SEMIX353GB126V1 Neu und Original
SEMIX353GB126V3 Neu und Original
SEMIX353GB128DS Neu und Original
SEMIX353GB176HDS Neu und Original
SEMIX353GD126HDC SEMIX, Trench IGBT Module, 1200V, 300A
SEMIX353GD126HDS Neu und Original
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