SIHG44N65EF-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247AC-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

46 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

63 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

185 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

417 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.82 mm

Länge:

15.87 mm

Serie:

SIH

Breite:

5.31 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

100 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

77 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

157 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

46 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

SIHG4, SIHG, SIH