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TGF2952

TGF2952
Mfr. #:
TGF2952
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2952 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TGF2952 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
20.4 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
32 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
480 mA
Ausgangsleistung:
38.4 dBm
Maximale Drain-Gate-Spannung:
100 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
10.5 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
sterben
Verpackung:
Gel-Pack
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
15 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 65 C to + 150 C
Marke:
Qorvo
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1111797
Tags
TGF295, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 14 GHz, 7 W, 20.4 dB, 32 V, GaN, DIE
TGF GaN on SiC Transistors
Qorvo TGF GaN on SiC Transistors for the Satellite, P to P, and Military communications along with Marine radar and Test and instrumentation. These are small footprint (dies) that handle high power (7W to 70W) and high frequency, up to 14GHz.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF2952
DISTI # 772-TGF2952		QorvoRF JFET Transistors DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm
RoHS: Compliant		0
  • 50:$30.2800
  • 100:$26.1900
  • 250:$24.6200
1111797
DISTI # TGF2952		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 1:$17.1900
Bild Teil # Beschreibung
TGF2018

Mfr.#: TGF2018

OMO.#: OMO-TGF2018

 RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
TGF150D

Mfr.#: TGF150D

OMO.#: OMO-TGF150D

 Thermal Interface Products 1.5W/M-K 200*300*1 TGF150D Light Grey
TGF50-07870787-020

Mfr.#: TGF50-07870787-020

OMO.#: OMO-TGF50-07870787-020

 Thermal Interface Products 5W/m-K 200*200*0.5 TGF50 White
TGF2979-SM

Mfr.#: TGF2979-SM

OMO.#: OMO-TGF2979-SM-318

 RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
TGF3020-SM

Mfr.#: TGF3020-SM

OMO.#: OMO-TGF3020-SM-319

 RF MOSFET Transistors 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
TGF2929-FL

Mfr.#: TGF2929-FL

OMO.#: OMO-TGF2929-FL-319

 RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
TGF2929-FS

Mfr.#: TGF2929-FS

OMO.#: OMO-TGF2929-FS-319

 RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
TGF2960-SD.

Mfr.#: TGF2960-SD.

OMO.#: OMO-TGF2960-SD--1190

 Neu und Original
TGF2961-SD T/R

Mfr.#: TGF2961-SD T/R

OMO.#: OMO-TGF2961-SD-T-R-1190

 Neu und Original
TGF4250-SCC

Mfr.#: TGF4250-SCC

OMO.#: OMO-TGF4250-SCC-1152

 RF JFET Transistors DC-10.5GHz 2.5 Watt HFET
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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Menge
Stückpreis
ext. Preis
50
30,28 $
1 514,00 $
100
26,19 $
2 619,00 $
250
24,62 $
6 155,00 $
500
23,14 $
11 570,00 $
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