TGF2979-SM

TGF2979-SM
Mfr. #:
TGF2979-SM
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2979-SM Datenblatt
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
TriQuint (Qorvo)
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Tablett
Teil-Aliasnamen
1127378
Gewichtseinheit
0.004339 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
QFN-20
Technologie
GaN SiC
Aufbau
Single
Transistor-Typ
HEMT
Gewinnen
11 dB
Ausgangsleistung
22 W
Pd-Verlustleistung
49 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 225 C
Arbeitsfrequenz
DC to 12 GHz
ID-Dauer-Drain-Strom
1.8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
32 V
Transistor-Polarität
N-Kanal
Entwicklungs-Kit
TGF2979-SMEVB1
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 2.7 V
Tags
TGF297, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC- 12 GHz, 25 W, 11 dB, 32 V, GaN, Plastic , QFN
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
TGF297x GaN RF Transistor
Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz. The TGF2970 transistors offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operation. Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF2979-SM
DISTI # 772-TGF2979-SM
QorvoRF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
RoHS: Compliant
95
  • 1:$62.0000
  • 25:$53.6200
  • 100:$46.3800
TGF2979-SM-EVB
DISTI # 772-TGF2979-SM-EVB
QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant
0
  • 1:$875.0000
1127378
DISTI # TGF2979-SM
QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
30
  • 1:$38.2200
Bild Teil # Beschreibung
TGF2934

Mfr.#: TGF2934

OMO.#: OMO-TGF2934

RF JFET Transistors DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN
TGF2942

Mfr.#: TGF2942

OMO.#: OMO-TGF2942

RF JFET Transistors DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaN
TGF2957

Mfr.#: TGF2957

OMO.#: OMO-TGF2957

RF JFET Transistors DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm
TGF2955

Mfr.#: TGF2955

OMO.#: OMO-TGF2955

RF JFET Transistors DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
TGF2936

Mfr.#: TGF2936

OMO.#: OMO-TGF2936

RF JFET Transistors DC-25GHz 10Watt NF 1.3dB GaN
TGF2929-FL

Mfr.#: TGF2929-FL

OMO.#: OMO-TGF2929-FL

RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
TGF2929-FS

Mfr.#: TGF2929-FS

OMO.#: OMO-TGF2929-FS

RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
TGF2953

Mfr.#: TGF2953

OMO.#: OMO-TGF2953-318

RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
TGF2979-SM-EVB

Mfr.#: TGF2979-SM-EVB

OMO.#: OMO-TGF2979-SM-EVB-1152

RF Development Tools
TGF2961-SD

Mfr.#: TGF2961-SD

OMO.#: OMO-TGF2961-SD-1190

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69,57 $
10
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660,92 $
100
62,61 $
6 261,30 $
500
59,13 $
29 567,25 $
1000
55,66 $
55 656,00 $
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