FJN3311RBU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren – vorgespannt

RoHS:

Y

Aufbau:

Single

Polarität des Transistors:

NPN

Typischer Eingangswiderstand:

22 kOhms

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

100

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.1 A

Spitzen-DC-Kollektorstrom:

100 mA

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Schüttgut

DC-Stromverstärkung hFE Max:

600

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Typ:

Epitaxialer NPN-Siliziumtransistor

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Produktart:

BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.006286 oz

Tags

FJN331, FJN33, FJN3, FJN