FJN3303BU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

400 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

700 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

9 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

4 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

4.7 mm

Länge:

4.7 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

3.93 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

14

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

FJN3303BU_NL

Gewichtseinheit:

0.006314 oz

Tags

FJN3303, FJN330, FJN33, FJN3, FJN