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FJN3310RTA

FJN3310RTA
Mfr. #:
FJN3310RTA
Hersteller:
ON Semiconductor / Fairchild
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FJN3310RTA Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
10 kOhms
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-92-3 Kinked Lead
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
100
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
40 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
0.1 A
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
300 mW
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Munitionspackung
DC-Stromverstärkung hFE Max:
600
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Höhe:
5.33 mm
Länge:
5.2 mm
Typ:
Epitaxialer NPN-Siliziumtransistor
Breite:
4.19 mm
Marke:
ON Semiconductor / Fairchild
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
2000
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
FJN3310RTA_NL
Gewichtseinheit:
0.010088 oz
Tags
FJN331, FJN33, FJN3, FJN
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
***i-Key
TRANSISTOR NPN 40V 100MA TO-92
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FJN3310RTA
DISTI # FJN3310RTA-ND		ON SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 16000
Container: Tape & Box (TB)		Limited Supply - Call
    FJN3310RTA
    DISTI # 512-FJN3310RTA    		ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
    RoHS: Compliant    		0
      FJN3310RTAFairchild Semiconductor CorporationSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
      RoHS: Compliant      		372500
      • 100:$0.0100
      • 500:$0.0100
      • 1000:$0.0100
      • 1:$0.0200
      • 25:$0.0200
      Bild Teil # Beschreibung
      FJN3311RBU

      Mfr.#: FJN3311RBU

      OMO.#: OMO-FJN3311RBU

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/40V/100mA/22K
      FJN3303RTA

      Mfr.#: FJN3303RTA

      OMO.#: OMO-FJN3303RTA

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
      FJN3308RBU

      Mfr.#: FJN3308RBU

      OMO.#: OMO-FJN3308RBU

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/47K 22K
      FJN3310RBU

      Mfr.#: FJN3310RBU

      OMO.#: OMO-FJN3310RBU

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/40V/100mA/10K
      FJN3315RTA

      Mfr.#: FJN3315RTA

      OMO.#: OMO-FJN3315RTA

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
      FJN3301RTA

      Mfr.#: FJN3301RTA

      OMO.#: OMO-FJN3301RTA

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
      FJN3308RBU

      Mfr.#: FJN3308RBU

      OMO.#: OMO-FJN3308RBU-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
      FJN3312RTA

      Mfr.#: FJN3312RTA

      OMO.#: OMO-FJN3312RTA-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
      FJN3309RTA

      Mfr.#: FJN3309RTA

      OMO.#: OMO-FJN3309RTA-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
      FJN3311RTA

      Mfr.#: FJN3311RTA

      OMO.#: OMO-FJN3311RTA-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      5000
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