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SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA430DJ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIA430DJ-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIA430DJ-T1-GE3 DatasheetSIA430DJ-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SIA430DJ-T1-GE3 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Teil-Aliasnamen
SIA430DJ-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAKR SC-70-6
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PowerPAKR SC-70-6 Single
Aufbau
Single Quad Drain Dual Source
FET-Typ
MOSFET N-Kanal, Metalloxid
Leistung max
19.2W
Transistor-Typ
1 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
800pF @ 10V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
12A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
13.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
18nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
3.5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
10 ns 8 ns
Anstiegszeit
10 ns 8 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
12 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
13.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
15 ns 17 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
16 ns 10 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SIA430DJ-T1, SIA430DJ-T, SIA430, SIA43, SIA4, SIA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 20 V 0.0135 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
***ical
Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***ronik
N-CHANNEL-FET 12A 20V PP-SC70-6 RoHSconf
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 20V, 12A, SC-70; Trans; N CHANNEL MOSFET, 20V, 12A, SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):18.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:6
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIA430DJ-T1-GE3
DISTI # 21308554		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
RoHS: Compliant		2028
  • 155:$0.1812
SIA430DJ-T1-GE3
DISTI # SIA430DJ-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 3000:$0.4466
SIA430DJ-T1-GE3
DISTI # SIA430DJ-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SIA430DJ-T1-GE3
    DISTI # SIA430DJ-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SIA430DJ-T1-GE3
      DISTI # C1S803601470872      		Vishay IntertechnologiesMOSFETs
      RoHS: Compliant      		80
      • 25:$0.6874
      • 10:$0.6897
      SIA430DJ-T1-GE3
      DISTI # SIA430DJ-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R (Alt: SIA430DJ-T1-GE3)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape and Reel      		Asia - 0
        SIA430DJ-T1-GE3
        DISTI # 16P3618        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 20V, 12A, SC-70,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:12A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):18.5mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:20V,Threshold Voltage Vgs:3V,Product Range:- , RoHS Compliant: Yes2028
        • 1:$0.3230
        • 25:$0.3230
        • 50:$0.3230
        • 100:$0.3230
        • 250:$0.3230
        • 500:$0.3230
        • 1000:$0.3230
        SIA430DJ-T1-GE3.
        DISTI # 28AC2097        		Vishay IntertechnologiesN-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET , ROHS COMPLIANT: NO0
          SIA430DJ-T1-GE3
          DISTI # 781-SIA430DJ-T1-GE3          		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
          RoHS: Compliant          		27
          • 1:$1.0200
          • 10:$0.8360
          • 100:$0.6410
          • 500:$0.5520
          • 1000:$0.4840
          SIA430DJ-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
          RoHS: Compliant          		Americas - 3000
            Bild Teil # Beschreibung
            SIA430DJT-T1-GE3

            Mfr.#: SIA430DJT-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SIA430DJT-T1-GE3

            		 MOSFET 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70
            SIA430DJT-T4-GE3

            Mfr.#: SIA430DJT-T4-GE3

            OMO.#: OMO-SIA430DJT-T4-GE3

            		 MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
            SIA430DJ-T1-GE3-CUT TAPE

            Mfr.#: SIA430DJ-T1-GE3-CUT TAPE

            OMO.#: OMO-SIA430DJ-T1-GE3-CUT-TAPE-1190

            		 Neu und Original
            SIA430DJ

            Mfr.#: SIA430DJ

            OMO.#: OMO-SIA430DJ-1190

            		 Neu und Original
            SIA430DJ-T1-GE3

            Mfr.#: SIA430DJ-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SIA430DJ-T1-GE3-VISHAY

            		 MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
            SIA430DJ-T1-GE3-CUTTAPE

            Mfr.#: SIA430DJ-T1-GE3-CUTTAPE

            OMO.#: OMO-SIA430DJ-T1-GE3-CUTTAPE-1190

            		 Neu und Original
            SIA430DJ-T4-GE3

            Mfr.#: SIA430DJ-T4-GE3

            OMO.#: OMO-SIA430DJ-T4-GE3-VISHAY

            		 MOSFET N-CH 20V SC-70-6
            SIA430DJT-T1-GE3

            Mfr.#: SIA430DJT-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SIA430DJT-T1-GE3-VISHAY

            		 MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
            SIA430DJT-T4-GE3

            Mfr.#: SIA430DJT-T4-GE3

            OMO.#: OMO-SIA430DJT-T4-GE3-VISHAY

            		 MOSFET N-CH 20V 12A SC-70-6
            Verfügbarkeit
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            Available
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            3000
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            Der aktuelle Preis von SIA430DJ-T1-GE3 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
            Referenzpreis (USD)
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            1
            0,50 $
            0,50 $
            10
            0,48 $
            4,76 $
            100
            0,45 $
            45,09 $
            500
            0,43 $
            212,95 $
            1000
            0,40 $
            400,80 $
            Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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