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C3M0280090J

C3M0280090J
Mfr. #:
C3M0280090J
Hersteller:
N/A
Beschreibung:
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
C3M0280090J Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
C3M0280090J Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Cree, Inc.
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
SiC
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-7
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
900 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
11 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
385 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.8 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
18 V, - 8 V
Qg - Gate-Ladung:
9.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
50 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Produkt:
Leistungs-MOSFET
Typ:
Siliziumkarbid-MOSFET
Marke:
Wolfspeed / Cree
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
3.1 S
Abfallzeit:
4 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
6.5 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
10.5 ns
Gewichtseinheit:
0.056438 oz
Tags
C3M02, C3M0, C3M
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
In a Pack of 2, MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
***ark
Mosfet, N-Ch, 900V, 11A, To-263 Rohs Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N-CH, 900V, 11A, TO-263
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE MOSFETS
***i-Key
MOSFET N-CH 900V 11A
SiC C3M MOSFETs
Cree SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter and transformer component sizes. The SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
C3M0280090J
DISTI # 31645894		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK1900
  • 50:$3.2209
C3M0280090J-TR
DISTI # C3M0280090J-TRCT-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 900V 11A
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		3194In Stock
  • 1:$3.9500
C3M0280090J-TR
DISTI # C3M0280090J-TRDKR-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 900V 11A
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		3194In Stock
  • 1:$3.9500
C3M0280090J-TR
DISTI # C3M0280090J-TRTR-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 900V 11A
RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: Tape & Reel (TR)		1600In Stock
  • 800:$3.8360
C3M0280090J
DISTI # C3M0280090J-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 900V 11A
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		1272In Stock
  • 1:$3.8400
C3M0280090J
DISTI # 98Y6021		WolfspeedMOSFET, N-CH, 900V, 11A, TO-263,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:11A,Drain Source Voltage Vds:900V,On Resistance Rds(on):0.28ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:15V,Threshold Voltage Vgs:2.1V,Power RoHS Compliant: Yes46
  • 500:$3.3400
  • 250:$3.4300
  • 100:$3.5100
  • 50:$3.5500
  • 25:$3.7100
  • 10:$3.9200
  • 1:$4.1700
C3M0280090J
DISTI # 941-C3M0280090J		Cree, Inc.MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
RoHS: Compliant		1807
  • 1:$3.6500
  • 100:$3.5100
  • 500:$3.3400
C3M0280090J-TR
DISTI # 941-C3M0280090JTR		Cree, Inc.MOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
RoHS: Compliant		1400
  • 1:$3.6500
  • 100:$3.5100
  • 500:$3.3400
C3M0280090J
DISTI # C3M0280090J		WolfspeedTransistor: N-MOSFET,SiC,unipolar,900V,11A,50W,D2PAK-7,20ns50
  • 1000:$4.2400
C3M0280090J
DISTI # C1S155400413812		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
RoHS: Compliant		1900
  • 1000:$3.3400
  • 500:$3.5800
  • 200:$4.6700
  • 50:$5.0500
C3M0280090J
DISTI # 2630828		WolfspeedMOSFET, N-CH, 900V, 11A, TO-263
RoHS: Compliant		122
  • 100:£2.8600
  • 50:£2.9000
  • 10:£2.9300
  • 5:£2.9600
  • 1:£3.2900
C3M0280090J
DISTI # 2630828		WolfspeedMOSFET, N-CH, 900V, 11A, TO-263
RoHS: Compliant		38
  • 1:$6.1300
Bild Teil # Beschreibung
SI8238BD-D-IS

Mfr.#: SI8238BD-D-IS

OMO.#: OMO-SI8238BD-D-IS

 Gate Drivers 5 kV 8 V UVLO dual isolated gate driver
C3M0280090D

Mfr.#: C3M0280090D

OMO.#: OMO-C3M0280090D

 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
C3M0065090J

Mfr.#: C3M0065090J

OMO.#: OMO-C3M0065090J

 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
STPSC6H065BY-TR

Mfr.#: STPSC6H065BY-TR

OMO.#: OMO-STPSC6H065BY-TR

 Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
C3M0120090J

Mfr.#: C3M0120090J

OMO.#: OMO-C3M0120090J

 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
CRCW060310K0JNEAC

Mfr.#: CRCW060310K0JNEAC

OMO.#: OMO-CRCW060310K0JNEAC

 Thick Film Resistors - SMD 1/10Watt 10Kohms 5% Commercial Use
C2M1000170J

Mfr.#: C2M1000170J

OMO.#: OMO-C2M1000170J

 MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
C2M1000170J

Mfr.#: C2M1000170J

OMO.#: OMO-C2M1000170J-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
C3M0120090J

Mfr.#: C3M0120090J

OMO.#: OMO-C3M0120090J-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 900V 22A
C3M0280090D

Mfr.#: C3M0280090D

OMO.#: OMO-C3M0280090D-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 900V 11.5A
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1984
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von C3M0280090J dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
3,65 $
3,65 $
100
3,51 $
351,00 $
500
3,34 $
1 670,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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