BSO201SP H

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

- 88 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

OptiMOS P

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

40 S

Abfallzeit:

162 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

99 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

99 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21 ns

Teil # Aliase:

BSO201SPHXUMA1 BSO21SPHXT SP000613828

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

BSO201SPH, BSO201, BSO20, BSO2, BSO