BSD235NH6327XTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

950 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

266 mOhms, 266 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

320 pC, 320 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2 S, 2 S

Abfallzeit:

1.2 ns, 1.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.6 ns, 3.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4.5 ns, 4.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.8 ns, 3.8 ns

Teil # Aliase:

BSD235N H6327 SP000917652

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

BSD235NH, BSD235N, BSD23, BSD2, BSD