STU6N62K3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

620 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.28 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

34 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

90 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperMESH

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.2 mm

Länge:

6.6 mm

Serie:

STU6N62K3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STU6N6, STU6N, STU6, STU