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IPI65R190C6

IPI65R190C6
Mfr. #:
IPI65R190C6
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 700V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPI65R190C6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-262-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
700 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
20.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
190 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
73 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
151 W
Aufbau:
Single
Handelsname:
CoolMOS
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.45 mm
Länge:
10.2 mm
Serie:
CoolMOS C6
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
10 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
12 ns
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
133 nS
Teil # Aliase:
IPI65R190C6XKSA1 IPI65R19C6XK SP000863900
Gewichtseinheit:
0.084199 oz
Tags
IPI65R190C6, IPI65R19, IPI65R1, IPI65, IPI6, IPI
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPI65R190C6XKSA1
DISTI # IPI65R190C6XKSA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
  • 500:$2.0767
IPI65R190C6
DISTI # IPI65R190C6XKSA1		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin TO-262 Tube - Rail/Tube (Alt: IPI65R190C6XKSA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Americas - 0
  • 500:$1.5900
  • 1000:$1.4900
  • 2000:$1.4900
  • 3000:$1.3900
  • 5000:$1.3900
IPI65R190C6
DISTI # 726-IPI65R190C6		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 700V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6
RoHS: Compliant		0
  • 1:$3.0200
  • 10:$2.5600
  • 100:$2.2200
  • 250:$2.1100
  • 500:$1.8900
Bild Teil # Beschreibung
IPI65R280E6XKSA1

Mfr.#: IPI65R280E6XKSA1

OMO.#: OMO-IPI65R280E6XKSA1

 MOSFET N-Ch 700V 13.8A I2PAK-3
IPI65R190CFDXKSA2

Mfr.#: IPI65R190CFDXKSA2

OMO.#: OMO-IPI65R190CFDXKSA2

 MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improve
IPI65R420CFDXKSA1

Mfr.#: IPI65R420CFDXKSA1

OMO.#: OMO-IPI65R420CFDXKSA1

 MOSFET LOW POWER_LEGACY
IPI65R380C6XKSA1

Mfr.#: IPI65R380C6XKSA1

OMO.#: OMO-IPI65R380C6XKSA1

 MOSFET LOW POWER_LEGACY
IPI65R099C6

Mfr.#: IPI65R099C6

OMO.#: OMO-IPI65R099C6-1190

 - Bulk (Alt: IPI65R099C6)
IPI65R150CFD

Mfr.#: IPI65R150CFD

OMO.#: OMO-IPI65R150CFD-1190

 Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
IPI65R280C6XKSA1

Mfr.#: IPI65R280C6XKSA1

OMO.#: OMO-IPI65R280C6XKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
IPI65R420CFD

Mfr.#: IPI65R420CFD

OMO.#: OMO-IPI65R420CFD-1190

 MOSFET N-Ch 650V 8.7A I2PAK-3 CoolMOS CFD2
IPI65R600C6XKSA1

Mfr.#: IPI65R600C6XKSA1

OMO.#: OMO-IPI65R600C6XKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
IPI65R099C6XKSA1

Mfr.#: IPI65R099C6XKSA1

OMO.#: OMO-IPI65R099C6XKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 700V 38A I2PAK-3
Verfügbarkeit
Aktie:
730
Auf Bestellung:
2713
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
3,01 $
3,01 $
10
2,55 $
25,50 $
100
2,21 $
221,00 $
250
2,10 $
525,00 $
500
1,88 $
940,00 $
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