IXFN82N60P

IXFN82N60P
Mfr. #:
IXFN82N60P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET DIODE Id82 BVdass600
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFN82N60P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFN82N60P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
Modul
Serie
PolarHV
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
1.340411 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
Polarer HiPerFET
Paket-Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassishalterung
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
SOT-227B
Aufbau
Single Dual Source
FET-Typ
MOSFET N-Kanal, Metalloxid
Leistung max
1040W
Transistor-Typ
1 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
600V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
23000pF @ 25V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
72A
Rds-On-Max-Id-Vgs
75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs-th-Max-Id
5V @ 8mA
Gate-Lade-Qg-Vgs
240nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
1.04 kW
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
24 ns
Anstiegszeit
23 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
30 V
ID-Dauer-Drain-Strom
72 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
5 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
75 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
79 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
28 ns
Qg-Gate-Ladung
240 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
50 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXFN8, IXFN, IXF
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Packaging Boxes
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFN82N60P
DISTI # IXFN82N60P-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
236In Stock
  • 250:$21.0540
  • 100:$22.9416
  • 30:$24.6840
  • 10:$26.8620
  • 1:$29.0400
IXFN82N60P
DISTI # 747-IXFN82N60P
IXYS CorporationMOSFET DIODE Id82 BVdass600
RoHS: Compliant
138
  • 1:$29.0400
  • 5:$27.5900
  • 10:$26.8700
  • 25:$24.6900
  • 50:$23.6300
  • 100:$22.9400
  • 200:$21.0500
IXFN82N60P
DISTI # 194130
IXYS CorporationMOSFET N-CHANNEL 600V 72A SOT227B, EA167
  • 20:£19.8800
  • 10:£20.8100
  • 1:£23.1200
IXFN82N60PIXYS Corporation82 A, 600 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET69
  • 55:$17.8200
  • 27:$18.5625
  • 1:$19.3050
IXFN82N60PIXYS Corporation82 A, 600 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET29
  • 28:$34.6163
  • 14:$36.6525
  • 1:$40.7250
IXFN82N60P
DISTI # IXFN82N60P
IXYS CorporationN-Ch 600V 72A 1040W 0,075R SOT227B
RoHS: Compliant
2
  • 1:€23.4000
  • 5:€20.4000
  • 10:€19.4000
  • 25:€18.7000
IXFN82N60P
DISTI # XSFP00000159107
IXYS Corporation 
RoHS: Compliant
30 in Stock0 on Order
  • 30:$27.7800
  • 10:$34.1800
Bild Teil # Beschreibung
IXFN82N60P

Mfr.#: IXFN82N60P

OMO.#: OMO-IXFN82N60P

MOSFET DIODE Id82 BVdass600
IXFN80N50P

Mfr.#: IXFN80N50P

OMO.#: OMO-IXFN80N50P

MOSFET 500V 80A
IXFN80N60P3

Mfr.#: IXFN80N60P3

OMO.#: OMO-IXFN80N60P3

MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFN80N50Q3

Mfr.#: IXFN80N50Q3

OMO.#: OMO-IXFN80N50Q3

MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A
IXFN80N50

Mfr.#: IXFN80N50

OMO.#: OMO-IXFN80N50

MOSFET 500V 80A
IXFN80N10S1

Mfr.#: IXFN80N10S1

OMO.#: OMO-IXFN80N10S1-1190

Neu und Original
IXFN80N50

Mfr.#: IXFN80N50

OMO.#: OMO-IXFN80N50-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
IXFN80N50P

Mfr.#: IXFN80N50P

OMO.#: OMO-IXFN80N50P-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
IXFN82N60Q3

Mfr.#: IXFN82N60Q3

OMO.#: OMO-IXFN82N60Q3-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
IXFN82N60P

Mfr.#: IXFN82N60P

OMO.#: OMO-IXFN82N60P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET DIODE Id82 BVdass600
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
5500
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Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
26,73 $
26,73 $
10
25,39 $
253,94 $
100
24,06 $
2 405,70 $
500
22,72 $
11 360,25 $
1000
21,38 $
21 384,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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