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SI3447CDV-T1-G

SI3447CDV-T1-G
Mfr. #:
SI3447CDV-T1-G
Hersteller:
VISHAY
Beschreibung:
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI3447CDV-T1-G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI3447CDV-GE3
Gewichtseinheit
0.000705 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TSOP-6
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 P-Channel
Pd-Verlustleistung
2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
20 ns
Anstiegszeit
40 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
6.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
- 1 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
36 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
35 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
20 ns
Qg-Gate-Ladung
20 nC
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI3447CDV-T, SI3447C, SI3447, SI344, SI34, SI3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI3447CDV-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09216653		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 12V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
RoHS: Compliant		1819
  • 1000:$0.2604
  • 500:$0.2630
  • 250:$0.3096
  • 100:$0.3130
  • 25:$0.3983
  • 10:$0.4082
  • 1:$0.4753
SI3447CDV-T1-GE3
DISTI # SI3447CDV-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI3447CDV-T1-GE3
    DISTI # SI3447CDV-T1-GE3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI3447CDV-T1-GE3
      DISTI # SI3447CDV-T1-GE3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI3447CDV-T1-GE3
        DISTI # 25790189        		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 12V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
        RoHS: Compliant        		1845
        • 1000:$0.2604
        • 500:$0.2630
        • 250:$0.3096
        • 100:$0.3130
        • 35:$0.3998
        SI3447CDV-T1-GE3
        DISTI # 70616161        		Vishay SiliconixSI3447CDV-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor,6.2 A,12 V,6-Pin TSOP
        RoHS: Compliant        		0
        • 300:$0.3900
        • 600:$0.3300
        • 1500:$0.2600
        • 3000:$0.2300
        SI3447CDV-T1-GE3
        DISTI # 781-SI3447CDV-GE3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
        RoHS: Compliant        		0
          SI3447CDV-T1-GE3
          DISTI # 8123154P          		Vishay IntertechnologiesTRANS MOSFET P-CH 12V 6.3A, RL1300
          • 40:£0.3310
          • 200:£0.2820
          • 400:£0.2570
          • 800:£0.2320
          SI3447CDVT1GE3Vishay Intertechnologies 
          RoHS: Compliant          		Europe - 9000
            SI3447CDV-T1-GE3
            DISTI # C1S803601025803            		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 12V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
            RoHS: Compliant            		1845
            • 250:$0.3096
            • 100:$0.3130
            • 25:$0.4001
            • 10:$0.4100
            Bild Teil # Beschreibung
            SI3447CDV-T1-E3

            Mfr.#: SI3447CDV-T1-E3

            OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-E3

            		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3493DDV-T1-GE3
            SI3447CDV-T1-E3

            Mfr.#: SI3447CDV-T1-E3

            OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-E3-VISHAY

            		 IGBT Transistors MOSFET 12V 7.8A 3.0W 36mohm @ 4.5V
            SI3447CDV

            Mfr.#: SI3447CDV

            OMO.#: OMO-SI3447CDV-1190

            		 Neu und Original
            SI3447CDV-T1-GE3

            Mfr.#: SI3447CDV-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-GE3-VISHAY

            		 MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
            SI3447CDVT1GE3

            Mfr.#: SI3447CDVT1GE3

            OMO.#: OMO-SI3447CDVT1GE3-1190

            		 Small Signal Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
            SI3447CDV-T1-G

            Mfr.#: SI3447CDV-T1-G

            OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-G-1190

            		 Neu und Original
            Verfügbarkeit
            Aktie:
            Available
            Auf Bestellung:
            4500
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