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SI3447CDV-T1-E3

SI3447CDV-T1-E3
Mfr. #:
SI3447CDV-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 12V 7.8A 3.0W 36mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI3447CDV-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
IC-Chips
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI3447CDV-E3
Gewichtseinheit
0.000705 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TSOP-6
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 P-Channel
Pd-Verlustleistung
2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
20 ns
Anstiegszeit
40 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
6.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
36 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
35 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
20 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI3447CDV-T, SI3447C, SI3447, SI344, SI34, SI3
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
Single P-Channel 12 V 0.068 Ohm 18 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SC-74
***ical
Trans MOSFET P-CH 12V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-7800mA; Drain Source Voltage, Vds:-12V; On Resistance, Rds(on):0.068ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:8V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI3447CDV-T1-E3
DISTI # SI3447CDV-T1-E3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		1In Stock
  • 1:$0.7500
SI3447CDV-T1-E3
DISTI # SI3447CDV-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI3447CDV-T1-E3
    DISTI # SI3447CDV-T1-E3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI3447CDV-T1-E3
      DISTI # 781-SI3447CDV-E3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
      RoHS: Compliant      		0
        SI3447CDV-T1-E3
        DISTI # 1684051        		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P, TSOP-6
        RoHS: Compliant        		0
        • 5:£0.6610
        • 25:£0.5920
        • 100:£0.5900
        • 250:£0.5450
        • 500:£0.4990
        Bild Teil # Beschreibung
        SI3447CDV-T1-E3

        Mfr.#: SI3447CDV-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-E3

        		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3493DDV-T1-GE3
        SI3447CDV-T1-E3

        Mfr.#: SI3447CDV-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-E3-VISHAY

        		 IGBT Transistors MOSFET 12V 7.8A 3.0W 36mohm @ 4.5V
        SI3447CDV

        Mfr.#: SI3447CDV

        OMO.#: OMO-SI3447CDV-1190

        		 Neu und Original
        SI3447CDV-T1-GE3

        Mfr.#: SI3447CDV-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-GE3-VISHAY

        		 MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
        SI3447CDVT1GE3

        Mfr.#: SI3447CDVT1GE3

        OMO.#: OMO-SI3447CDVT1GE3-1190

        		 Small Signal Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
        SI3447CDV-T1-G

        Mfr.#: SI3447CDV-T1-G

        OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-G-1190

        		 Neu und Original
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        89,10 $
        500
        0,84 $
        420,75 $
        1000
        0,79 $
        792,00 $
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