TP65H050WS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Transphorm

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

GaN-Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

36 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

60 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

24 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

119 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Transphorm

Abfallzeit:

11 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

86 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

51 ns

Tags

TP65H, TP65, TP6