DMP3010LK3Q-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

17 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

59.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

DMP3010

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

99.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.4 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

260.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11.4 ns

Gewichtseinheit:

0.011993 oz

Tags

DMP3010LK, DMP3010, DMP301, DMP30, DMP3, DMP