CSD16409Q3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSON-Clip-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

CSD16409Q3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

38 S

Abfallzeit:

3.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10.6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.5 ns

Gewichtseinheit:

0.001474 oz

Tags

CSD16409Q, CSD16409, CSD1640, CSD164, CSD16, CSD1, CSD