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FDP3651U

FDP3651U
Mfr. #:
FDP3651U
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
Darlington Transistors MOSFET 100V 80A 15 OHM NCH POWER TREN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FDP3651U Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
FAI
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.063493 oz
Montageart
Durchgangsloch
Paket-Koffer
TO-220-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
255 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 175 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
14 ns
Anstiegszeit
16 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
80 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
15 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
32 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
15 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
FDP3651, FDP365, FDP36, FDP3, FDP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 100 V 18 mOhm PowerTrench® Mosfet - TO-220AB
***ical
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
***Semiconductor
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 18mΩ
***Components
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3- TO-220AB
***i-Key
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
***inecomponents.com
100V,80A,15 OHM,NCH POWER TRENCH MOSFET
***ser
MOSFETs 100V,80A,15 OHM NCH POWER TREN
***ark
MOSFET, N, TO-220
***nell
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:80A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.5V; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Alternate Case Style:SOT-78B; Current, Idm Pulse:320A; Pin Configuration:G(1),D(2)S(3); Power, Pd:255W; Resistance, Rds on Max:0.018ohm; Resistance, Rds on Typ.:0.015ohm; Temperature, Tj Max:175°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.59°C/W; Typ Capacitance Ciss:4152pF; Voltage, Rds Measurement:10V; Voltage, Vds Max:100V; Voltage, Vgs th Max:5.5V; Voltage, Vgs th Min:3.5V
***ment14 APAC
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:255W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-78B; Capacitance Ciss Typ:4152pF; Current Id Max:80A; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.59°C/W; On State Resistance Max:18mohm; On State Resistance Typ:15mohm; Package / Case:TO-220; Pin Configuration:G(1),D(2)S(3); Power Dissipation Pd:255W; Power Dissipation Pd:255W; Pulse Current Idm:320A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5.5V; Voltage Vgs th Min:3.5V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FDP3651U
DISTI # FDP3651U-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		288In Stock
  • 100:$2.3339
  • 10:$2.8460
  • 1:$3.1900
FDP3651U
DISTI # FDP3651U		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube (Alt: FDP3651U)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		Europe - 0
  • 1:€1.8900
  • 10:€1.5900
  • 25:€1.2900
  • 50:€1.1900
  • 100:€1.1900
  • 500:€1.1900
  • 1000:€1.0900
FDP3651U
DISTI # FDP3651U		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube - Rail/Tube (Alt: FDP3651U)
RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: Tube		Americas - 0
  • 800:$1.0900
  • 1600:$1.0900
  • 3200:$1.0900
  • 4800:$1.0900
  • 8000:$1.0900
FDP3651U
DISTI # 34M6122		ON SemiconductorMOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4.5 V RoHS Compliant: Yes28
  • 1:$2.7400
  • 10:$2.3300
  • 25:$2.2300
  • 50:$2.1200
  • 100:$2.0200
  • 250:$1.9200
  • 500:$1.7200
FDP3651U
DISTI # 512-FDP3651U		ON SemiconductorMOSFET 100V 80A 15 OHM NCH POWER TREN
RoHS: Compliant		749
  • 1:$2.7400
  • 10:$2.3300
  • 100:$2.0200
  • 250:$1.9200
  • 500:$1.7200
  • 1000:$1.4500
  • 2500:$1.3800
  • 5000:$1.3300
FDP3651U
DISTI # 1324799		ON SemiconductorMOSFET, N, TO-220
RoHS: Compliant		30
  • 1:£2.3600
  • 10:£1.7800
  • 100:£1.5500
  • 250:£1.4600
  • 500:£1.3100
FDP3651U
DISTI # 1324799		ON SemiconductorMOSFET, N, TO-220
RoHS: Compliant		28
  • 1:$4.3400
  • 10:$3.6900
  • 100:$3.2000
  • 250:$3.0400
  • 500:$2.7200
  • 1000:$2.3000
  • 2500:$2.1900
  • 5000:$2.1000
Bild Teil # Beschreibung
FDP39N20

Mfr.#: FDP39N20

OMO.#: OMO-FDP39N20

 MOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH
FDP3632

Mfr.#: FDP3632

OMO.#: OMO-FDP3632

 MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
FDP3682

Mfr.#: FDP3682

OMO.#: OMO-FDP3682

 MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
FDP3651U

Mfr.#: FDP3651U

OMO.#: OMO-FDP3651U

 MOSFET 100V 80A 15 OHM NCH POWER TREN
FDP3672

Mfr.#: FDP3672

OMO.#: OMO-FDP3672-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB
FDP3652

Mfr.#: FDP3652

OMO.#: OMO-FDP3652-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
FDP36035AL

Mfr.#: FDP36035AL

OMO.#: OMO-FDP36035AL-1190

 Neu und Original
FDP3632,FDP3682,FDP038AN

Mfr.#: FDP3632,FDP3682,FDP038AN

OMO.#: OMO-FDP3632-FDP3682-FDP038AN-1190

 Neu und Original
FDP3652T

Mfr.#: FDP3652T

OMO.#: OMO-FDP3652T-1190

 Neu und Original
FDP3652_NL

Mfr.#: FDP3652_NL

OMO.#: OMO-FDP3652-NL-1190

 Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
4500
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
1,64 $
1,64 $
10
1,55 $
15,53 $
100
1,47 $
147,15 $
500
1,39 $
694,90 $
1000
1,31 $
1 308,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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