IRF7341GTRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

65 mOhms, 65 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

29 nC, 29 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2.4 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

10.4 S, 10.4 S

Abfallzeit:

12.5 ns, 12.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.7 ns, 7.7 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

31 ns, 31 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.2 ns, 9.2 ns

Teil # Aliase:

SP001563394

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

IRF7341, IRF734, IRF73, IRF7, IRF