SISS70DN-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK1212-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

125 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

31 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

29.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

15.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

65.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK

Verpackung:

Spule

Serie:

SIS

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

16 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Tags

SISS7, SISS, SIS