TC6321T-V/9U

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VDFN-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7 Ohms, 8 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V, 2.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

-

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

-

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

TC6321

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Mikrochip-Technologie

Abfallzeit:

15 ns, 15 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns, 15 ns

Werkspackungsmenge:

3300

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns, 20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 10 ns

Tags

TC632, TC63, TC6