IXFB30N120P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

PLUS-264-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

350 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

6.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

310 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 kW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

26.59 mm

Länge:

20.29 mm

Serie:

IXFB30N120P

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Polar HiPerFET Leistungs-MOSFET

Breite:

5.31 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

13 S

Abfallzeit:

56 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

60 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

95 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

57 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXFB30, IXFB3, IXFB, IXF