PSMN7R0-100PS,127

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

12 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

125 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

269 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.4 mm

Länge:

10.3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

N-Channel 100 V 6.8 mOhms Standard Level MOSFET in TO220

Breite:

4.7 mm

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

49.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

45.6 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

103.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

34.6 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

PSMN7R0-100P, PSMN7R0-1, PSMN7R0, PSMN7, PSMN, PSM